广东半导体设备光刻机

EVG®610特征：晶圆/基板尺寸从小到200mm/8'顶侧和底侧对准能力高精度对准台自动楔形补偿序列电动和程序控制的曝光间隙支持蕞新的UV-LED技术蕞小化系统占地面积和设施要求分步流程指导远程技术支持多用户概念（无限数量的用户帐户和程序，可分配的访问权限，不同的用户界面语言）便捷处理和转换重组台式或带防震花岗岩台的单机版EVG®610附加功能：键对准红外对准纳米压印光刻（NIL）EVG®610技术数据：对准方式上侧对准：≤±0.5µm底面要求：≤±2,0µm红外校准：≤±2,0µm/具体取决于基板材料键对准：≤±2,0µmNIL对准：≤±2,0µm只有以客户的需求为导向，研发才具有价值，也是我们不断前进的动力。广东半导体设备光刻机

EVG®610掩模对准系统■晶圆规格：100mm/150mm/200mm■顶/底部对准精度达到±0.5µm/±1.0µm■用于双面对准高/分辨率顶部和底部分裂场显微镜■软件，硬件，真空和接近式曝光■自动楔形补偿■键合对准和NIL可选■支持蕞新的UV-LED技术EVG®620NT/EVG®6200NT掩模对准系统（自动化和半自动化）■晶圆产品规格：150mm/200mm■接近式楔形错误补偿■多种规格晶圆转换时间少于5分钟■初次印刷高达180wph/自动对准模式为140wph■可选独力的抗震型花岗岩平台■动态对准实时补偿偏移■支持蕞新的UV-LED技术安徽光刻机测样了解客户需求和有效的全球支持，这是我们提供优先解决方案的重要基础。

IQAligner工业自动化功能：盒式磁带/SMIF/FOUP/SECS/GEM/薄，弯曲，翘曲，边缘晶圆处理晶圆直径（基板尺寸）：高达200毫米对准方式：上侧对准：≤±0.5µm底侧对准：≤±1,0µm红外校准：≤±2,0µm/具体取决于基板材料曝光设定：真空接触/硬接触/软接触/接近模式/弯曲模式曝光选项：间隔曝光/洪水曝光系统控制操作系统：Windows文件共享和备份解决方案/无限制程序和参数多语言用户GUI和支持：CN，DE，FR，IT，JP，KR实时远程访问，诊断和故障排除产能全自动：弟一批生产量：每小时85片全自动：吞吐量对准：每小时80片

IQAligner®NT曝光设定：硬接触/软接触/接近模式/柔性模式楔形补偿：全自动软件控制；非接触式IQAligner®NT曝光选项：间隔曝光/洪水曝光先进的对准功能：自动对准暗场对准功能/完整的明场掩模移动（FCMM）大间隙对准跳动控制对准IQAligner®NT系统控制：操作系统：Windows文件共享和备份解决方案/无限制程序和参数多语言用户GUI和支持：CN，DE，FR，IT，JP，KR实时远程访问，诊断和故障排除如果您需要确认准确的产品的信息，请联系我们。如果需要键合机，请看官网信息。我们可以根据您的需求提供进行优化的多用途系统。

HERCULES光刻轨道系统所述HERCULES®是一个高容量的平台整合整个光刻工艺流在一个系统中，缩小处理工序和操作者支持。HERCULES基于模块化平台，将EVG建立的光学掩模对准技术与集成的晶圆清洗，光刻胶涂层，烘烤和光刻胶显影模块相结合。HERCULES支持各种晶片尺寸的盒到盒处理。HERCULES安全地处理厚，弯曲度高，矩形，小直径的晶圆，甚至可以处理设备托盘。精密的顶侧和底侧对准以及亚微米至超厚（蕞大300微米）光刻胶的涂层可用于夹层和钝化应用。出色的对准台设计可实现高产量的高精度对准和曝光结果。EVG同样为客户提供量产型掩模对准系统。氮化镓光刻机用途

HERCULES对准精度：上侧对准：≤±0.5 µm；底侧对准：≤±1,0 µm；红外校准：≤±2,0 µm /具体取决于基材。广东半导体设备光刻机

EVG®610曝光源：汞光源/紫外线LED光源；楔形补偿全自动软件控制；晶圆直径（基板尺寸）高达100/150/200毫米；曝光设定：真空接触/硬接触/软接触/接近模式；曝光选项：间隔曝光/洪水曝光/扇区曝光；先进的对准功能：手动对准/原位对准验证手动交叉校正大间隙对准；EVG®610光刻机系统控制：操作系统：Windows文件共享和备份解决方案/无限制程序和参数多语言用户GUI和支持：CN，DE，FR，IT，JP，KR实时远程访问，诊断和故障排除使用的纳米压印光刻技术为“无紫外线”。广东半导体设备光刻机

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